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| 本文作者： 吳優 | 2020-10-10 14:18 |
雷鋒網消息，10月3日，廣東省發展改革委、廣東省科技廳和廣東省工業和信息化廳聯合印發了廣東省半導體及集成電路戰略性新興產業集群行動計劃(2021-2025年)的通知，該行動計劃依據今年5月份發布的《廣東省人民政府關于培育發展戰略性支柱產業集群和戰略性新興產業集群的意見》(粵府函[2020]82號)等文件而制定，分為總體情況、工作目標、重點任務、重點工程和保障措施等五個部分。
文件指出，廣東省作為我國信息產業的第一大省，在消費電子、通信、人工智能、汽車電子等領域擁有國內最大的半導體及集成電路應用市場，但目前存在創新能力不足、設計企業規模普遍偏小、制造環節短板明顯、高校人才培養嚴重短缺和對外依存度高等問題與挑戰。計劃到2025年，廣東省集成電路年主營業務收入突破4000億元，其中集成電路設計業業務收入超2000億元，設計行業的骨干企業研發投入強度超過20%，全行業研發投入強度超過5%，集成電路制造業業務收入超1000億元，建成較大規模特色工藝制程生產線，先進封測比例顯著提升。
文件還提出7項重點工程：
底層工具軟件培育工程。重點圍繞邏輯綜合、布圖布線、仿真驗證等方向,加強數字電路EDA工具軟件核心技術攻關。
芯片設計領航工程。重點突破邊緣計算芯片、儲存芯片、處理器等高端通用芯片的設計,大力支持射頻、傳感器、基帶、交換、光通信、顯示驅動、RISC-V(基于精簡指令集原則的開源指令集架構)、物聯網智能硬件、車規級AI、FBAR濾波器等專用芯片的開發設計。
制造能力提升工程。大力支持技術先進的IDM(設計、制造及封測一體化)企業和晶圓代工企業布局研發、生產和運營中心,重點推動12英寸晶圓線及8英寸硅基氮化鎵晶圓線等項目建設。
高端封裝測試趕超工程。大力引進先進封裝測試生產線和技術研發中心,支持現有封測企業開展兼并重組,緊貼市場需求加快封裝測試工藝技術升級和產能提升。
化合物半導體搶占工程。大力發展氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、氧化鎵、氮化鋁、金剛石等半導體材料制造,支持氮化鎵、碳化硅、砷化鎵、磷化銦等化合物半導體器件和模塊的研發制造。
材料及關鍵電子元器件補鏈工程。大力發展電子級多晶硅及硅片制造,加快氟聚酰亞胺、光刻膠、高純度化學試劑、電子氣體、碳基、高密度封裝基板等材料研發生產。
特種裝備及零部件配套工程。重點圍繞光學和電子束光刻機關鍵部件和系統集成開展持續研發和技術攻關。
人才集聚工程。組織開展集成電路產業人才開發路線圖研究,省相關高層次人才引進計劃將集成電路產業列入重點支持方向,加快從全球靶向引進高端領軍人才、創新團隊和管理團隊。
為保障工程順利進行和完成這些目標，廣東省發展改革委、科技廳、工業和信息化廳及有關市政府將給予相應的政策支持，重點包括：
全面執行國家研發費用稅前加計扣除75%政策,對研發費用占銷售收入不低于5%的企業,鼓勵各市對其增按不超過25%研發費用稅前加計扣除標準給予獎補,省可根據各市財力狀況在此基礎上按1:1給予事后再獎勵。
省區域協調發展戰略專項資金對符合條件的國家級、省級公共服務平臺和創新平臺建設按不超過其固定資產投資的30%給予支持。
省促進經濟高質量發展專項資金對28nm及以下制程、車規級及其他具備較大競爭優勢的芯片產品量產前首輪流片費用按不超過30%給予獎補,鼓勵各地市出臺政策放寬獎補條件、擴大惠及面。
對產業鏈企業應用國產裝備給予首臺(套)裝機補貼,大力引進國內外沉積設備、刻蝕設備、等離子清洗機、薄膜制備設備等領域的龍頭企業。
省基礎與應用基礎研究基金安排一定比例的資金專項資助未獲得省部級以上科研項目資助的博士和博士后。兼顧高端領軍人才、中堅骨干力量、技術能手等多層次人才需求,適當放寬人才認定標準。鼓勵各市在戶籍、個稅獎勵(返還)、住房保障、醫療保障、子女就學、創新創業等方面對集成電路人才給予優先支持。
另外，在保障措施方面，文件提出成立廣東省半導體及集成電路產業發展專家咨詢委員會,對產業發展的重大問題和政策措施開展調查研究,進行論證評估,提供咨詢建議；省科技創新戰略專項資金每年投入不低于10億元用于支持集成電路領域技術創新；對投資額較大的制造、設計、EDA軟件、封測、裝備及零部件等領域項目,以及產業帶動作用明顯的國家級公共服務平臺、創新平臺,可按照“一事一議”的方式予以支持。
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